RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
26
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
21
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
4293
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link