RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3219
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link