RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
26
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3182
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link