RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
95
Autour de 73% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
95
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1450
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link