RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2792
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link