RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2517
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link