RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
69
Autour de 62% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
69
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1992
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link