RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
46
Autour de 43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
46
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2325
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link