RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
34
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3119
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston KHX16 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link