RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3642
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Jinyu 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link