RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2892
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link