Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Note globale
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Note globale
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 34
    Autour de 24% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.3 left arrow 12.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.0 left arrow 9.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 10600
    Autour de 2.42 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    26 left arrow 34
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.8 left arrow 17.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.0 left arrow 12.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2143 left arrow 2665
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons