RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
34
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2800
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link