RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3778
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link