RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3430
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link