RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
26
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
22.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
19
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
21.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
22.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
4574
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link