RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
34
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2495
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link