RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
62
Autour de 58% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
62
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1808
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link