RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
46
Autour de 43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
46
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2571
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link