RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2186
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link