RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
41
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2686
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link