RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
3699
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link