RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2539
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link