RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
2539
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link