RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
92
Около -156% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
13.7
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2504
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link