RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
92
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2504
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link