RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
61
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,077.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2333
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link