RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
53
61
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
2,077.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
53
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
10.4
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
2333
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link