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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
総合得点
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
総合得点
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
10.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
53
61
周辺 -15% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.8
2,077.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
61
53
読み出し速度、GB/s
3,835.2
10.4
書き込み速度、GB/秒
2,077.3
7.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
606
2333
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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