RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2871
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link