RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Comparez
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB vs Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Note globale
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Note globale
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
40
Autour de 28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
29
40
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2379
2455
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link