RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
57
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
57
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
2792
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link