Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Note globale
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 49
    Autour de -88% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.6 left arrow 10.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.8 left arrow 8.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 17000
    Autour de 1.13 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    49 left arrow 26
  • Vitesse de lecture, GB/s
    10.9 left arrow 14.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.7 left arrow 11.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2427 left arrow 3124
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons