RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
49
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
3124
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link