RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
49
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
3520
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB Comparaison des RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link