RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
49
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
15.3
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
3520
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link