RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
49
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
40
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
2495
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link