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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3666
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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