RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3666
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link