RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
43
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3147
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
OCZ OCZ2T8001G 1GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link