RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
68
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
2236
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link