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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Confronto
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Punteggio complessivo
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Punteggio complessivo
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
68
Intorno -196% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
1,944.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
23
Velocità di lettura, GB/s
3,973.0
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,944.9
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
673
2236
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
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