RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2320
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link