RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
23
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3626
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link