RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
40
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
17
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
3550
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link