RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2384
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link