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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
69
Autour de -116% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2942
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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