RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
51
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3000
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Inmos + 256MB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link