RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
51
Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
25
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3942
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link