RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
51
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3299
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GRSL 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link