RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
51
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
4015
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link